Número de Producto del Fabricante:
HAT2173HWS-E
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
HAT2173HWS-E-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 25A 5LFPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 25A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount LFPAK
Inventario:
12855534
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ENVIAR
HAT2173HWS-E Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
25A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 20mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4350 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LFPAK
Paquete / Caja
SC-100, SOT-669
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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