HAT2185WPWS-E
Número de Producto del Fabricante:

HAT2185WPWS-E

Product Overview

Fabricante:

Renesas Electronics Corporation

Número de pieza:

HAT2185WPWS-E-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 150V 10A 8WPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 10A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount 8-WPAK (3)

Inventario:

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12853363
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HAT2185WPWS-E Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
430 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-WPAK (3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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