HAT2210RWS-E
Número de Producto del Fabricante:

HAT2210RWS-E

Product Overview

Fabricante:

Renesas Electronics Corporation

Número de pieza:

HAT2210RWS-E-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A/8A 8SOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 7.5A (Ta), 8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOP

Inventario:

Solicitud de Cotización en Línea
12852350
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

HAT2210RWS-E Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual), Schottky
Función FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.5A (Ta), 8A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
630pF @ 10V, 1330pF @ 10V
Potencia - Máx.
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP
Número de producto base
HAT2210

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Productos relacionados
infineon-technologies

BSO211PNTMA1

MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8DSO

onsemi

MCH6602-TL-E

MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6MCPH

onsemi

MMDF2N02ER2

MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8SOIC

renesas-electronics-america

HAT1126RWS-E

MOSFET 2P-CH 60V 6A 8SOP