Número de Producto del Fabricante:
N0434N-S23-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
N0434N-S23-AY-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 40V 100A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 100A (Ta) 1.5W (Ta), 119W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
2975 Pcs Nuevos Originales En Stock
12857670
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ENVIAR
N0434N-S23-AY Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
-
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5550 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta), 119W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
N0434N-S23
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
-1161-N0434N-S23-AYCT
-1161-N0434N-S23-AYCT-DG
559-N0434N-S23-AY
-1161-N0434N-S23-AY
N0434N-S23-AY-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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