Número de Producto del Fabricante:
NP60N055NUK-S18-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
NP60N055NUK-S18-AY-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 60A TO262
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 60A (Tc) 1.8W (Ta), 105W (Tc) Through Hole TO-262
Inventario:
12860848
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ENVIAR
NP60N055NUK-S18-AY Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3750 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 105W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-262
Paquete / Caja
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Número de producto base
NP60N055
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF3205ZLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3938
NÚMERO DE PIEZA
IRF3205ZLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.67
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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