Número de Producto del Fabricante:
NP82N10PUF-E1-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas
Número de pieza:
NP82N10PUF-E1-AY-DG
Descripción:
NP82N10PUF-E1-AY - MOS FIELD EFF
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 82A (Tc) 1.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount TO-263-3
Inventario:
6400 Pcs Nuevos Originales En Stock
12976878
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
NP82N10PUF-E1-AY Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
82A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5.8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.8W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Información Adicional
Paquete Estándar
121
Otros nombres
2156-NP82N10PUF-E1-AY
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF3710STRLPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
15343
NÚMERO DE PIEZA
IRF3710STRLPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.73
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
2SK3447TZ-E
2SK3447TZ-E - SILICON N CHANNEL
HAT1091C-EL-E
HAT1091C-EL-E - SILICON P CHANNE
SSP45N20A
35A, 200V, 0.065OHM, N-CHANNEL M