Número de Producto del Fabricante:
NP90N06VLK-E1-AY
Product Overview
Fabricante:
Renesas Electronics Corporation
Número de pieza:
NP90N06VLK-E1-AY-DG
Descripción:
ABU / MOSFET
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 1.2W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount TO-252 (MP-3ZP)
Inventario:
2500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12969568
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ENVIAR
NP90N06VLK-E1-AY Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Renesas Electronics Corporation
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.3mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6000 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.2W (Ta), 147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252 (MP-3ZP)
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
-1161-NP90N06VLK-E1-AYCT
559-NP90N06VLK-E1-AYTR
559-NP90N06VLK-E1-AYCT
559-NP90N06VLK-E1-AYDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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