Número de Producto del Fabricante:
BSM180C12P3C202
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
BSM180C12P3C202-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module
Inventario:
11 Pcs Nuevos Originales En Stock
12937633
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
BSM180C12P3C202 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
5.6V @ 50mA
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9000 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
880W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Module
Paquete / Caja
Module
Número de producto base
BSM180
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
12
Otros nombres
846-BSM180C12P3C202
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
2SJ143(6)-S6-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
2SK515-T1B-A
SMALL SIGNAL FET
IMBF170R650M1XTMA1
SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
