Número de Producto del Fabricante:
BSM180D12P2C101
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
BSM180D12P2C101-DG
Descripción:
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
Descripción Detallada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 204A (Tc) 1130W Module
Inventario:
1 Pcs Nuevos Originales En Stock
13523041
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ENVIAR
BSM180D12P2C101 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
Silicon Carbide (SiC)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
204A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 35.2mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
23000pF @ 10V
Potencia - Máx.
1130W
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Caja
Module
Paquete de dispositivos del proveedor
Module
Número de producto base
BSM180
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Documentos de confiabilidad
Información Adicional
Paquete Estándar
12
Otros nombres
Q7641253A
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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