Número de Producto del Fabricante:
BSM300C12P3E301
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
BSM300C12P3E301-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Module
Inventario:
13270349
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ENVIAR
BSM300C12P3E301 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
300A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
5.6V @ 80mA
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 10 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
1360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Paquete de dispositivos del proveedor
Module
Paquete / Caja
Module
Número de producto base
BSM300
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4
Otros nombres
846-BSM300C12P3E301
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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