Número de Producto del Fabricante:
BSM400C12P3G202
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
BSM400C12P3G202-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
Descripción Detallada:
N-Channel 1200 V 400A (Tc) 1570W (Tc) Chassis Mount Module
Inventario:
4 Pcs Nuevos Originales En Stock
13521204
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ENVIAR
BSM400C12P3G202 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tray
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
400A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
-
rds activados (máx.) @ id, vgs
-
vgs(th) (máx.) @ id
5.6V @ 106.8mA
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
17000 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1570W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Module
Paquete / Caja
Module
Número de producto base
BSM400
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
4
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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