Número de Producto del Fabricante:
BSS670T116
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
BSS670T116-DG
Descripción:
NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 650mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Inventario:
560 Pcs Nuevos Originales En Stock
12989117
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ENVIAR
BSS670T116 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
650mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
680mOhm @ 650mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 10µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
47 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SST3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
846-BSS670T116TR
846-BSS670T116DKR
846-BSS670T116CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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