Número de Producto del Fabricante:
BSS84XHZGG2CR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
BSS84XHZGG2CR-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 230mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount DFN1010-3W
Inventario:
4070 Pcs Nuevos Originales En Stock
12948441
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ENVIAR
BSS84XHZGG2CR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
230mA (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.3Ohm @ 230mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 100µA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
34 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1010-3W
Paquete / Caja
3-XFDFN
Número de producto base
BSS84
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
846-BSS84XHZGG2CRTR
846-BSS84XHZGG2CRCT
846-BSS84XHZGG2CRDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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