Número de Producto del Fabricante:
EMB10FHAT2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
EMB10FHAT2R-DG
Descripción:
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Descripción Detallada:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Inventario:
12966480
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ENVIAR
EMB10FHAT2R Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Arrays de Transistores Bipolares, Pre-Biasados
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo de transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corriente - Colector (Ic) (Max)
100mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
50V
Resistencia - Base (R1)
2.2kOhms
Resistencia - Base del emisor (R2)
47kOhms
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
500nA
Frecuencia - Transición
250MHz
Potencia - Máx.
150mW
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivos del proveedor
EMT6
Número de producto base
EMB10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
846-EMB10FHAT2RCT
846-EMB10FHAT2RTR
846-EMB10FHAT2RDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RN2905FE,LF(CT
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
RN2905FE,LF(CT-DG
PRECIO UNITARIO
0.02
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
PEMB10,115
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
4000
NÚMERO DE PIEZA
PEMB10,115-DG
PRECIO UNITARIO
0.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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