Número de Producto del Fabricante:
ES6U1T2R
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
ES6U1T2R-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 1.3A 6WEMT
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 1.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventario:
8330 Pcs Nuevos Originales En Stock
13523142
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ENVIAR
ES6U1T2R Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
290 pF @ 6 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-WEMT
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
ES6U1T2RCT
ES6U1T2RDKR
ES6U1T2RTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SSM6G18NU,LF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
3925
NÚMERO DE PIEZA
SSM6G18NU,LF-DG
PRECIO UNITARIO
0.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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