Número de Producto del Fabricante:
ES6U3T2CR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
ES6U3T2CR-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventario:
7960 Pcs Nuevos Originales En Stock
13080395
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ENVIAR
ES6U3T2CR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
240mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.4 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
70 pF @ 10 V
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (máx.)
800mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-WEMT
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
ES6U3T2CRDKR
ES6U3T2CRCT
846-ES6U3T2CRTR
ES6U3T2CRTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
US5U2TR
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
US5U2TR-DG
PRECIO UNITARIO
0.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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