Número de Producto del Fabricante:
HP8S36TB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
HP8S36TB-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 27A/80A 8HSOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 27A, 80A 29W Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
13525387
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ENVIAR
HP8S36TB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Not For New Designs
Tecnología
-
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A, 80A
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
47nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6100pF @ 15V
Potencia - Máx.
29W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSOP
Número de producto base
HP8S36
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
HP8S36TBDKR
HP8S36TBTR
HP8S36TBCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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