Número de Producto del Fabricante:
HS8MA2TCR1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
HS8MA2TCR1-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 9DFN
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 5A (Ta), 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN3333-9DC
Inventario:
710 Pcs Nuevos Originales En Stock
12967425
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ENVIAR
HS8MA2TCR1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Ta), 7A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
320pF @ 10V, 365pF @ 10V
Potencia - Máx.
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN3333-9DC
Número de producto base
HS8MA2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-HS8MA2TCR1DKR
846-HS8MA2TCR1CT
846-HS8MA2TCR1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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