Número de Producto del Fabricante:
HT8KE6TB1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
HT8KE6TB1-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT
Descripción Detallada:
Mosfet Array 100V 4.5A (Ta), 13A (Tc) 2W (Ta), 14W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventario:
4000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12787956
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ENVIAR
HT8KE6TB1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel
Función FET
Standard
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.5A (Ta), 13A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
57mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
305pF @ 50V
Potencia - Máx.
2W (Ta), 14W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
846-HT8KE6TB1DKR
846-HT8KE6TB1CT
846-HT8KE6TB1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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