Número de Producto del Fabricante:
QS8M31TR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
QS8M31TR-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A TSMT8
Descripción Detallada:
Mosfet Array 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount TSMT8
Inventario:
3630 Pcs Nuevos Originales En Stock
13526109
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ENVIAR
QS8M31TR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Ta), 2A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4nC @ 5V, 7.2nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
270pF @ 10V, 750pF @ 10V
Potencia - Máx.
1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete de dispositivos del proveedor
TSMT8
Número de producto base
QS8M31
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
QS8M31DKR
QS8M31CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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