Número de Producto del Fabricante:
R6002ENHTB1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6002ENHTB1-DG
Descripción:
600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 1.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventario:
2172 Pcs Nuevos Originales En Stock
12974854
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ENVIAR
R6002ENHTB1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
65 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
R6002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-R6002ENHTB1CT
846-R6002ENHTB1DKR
846-R6002ENHTB1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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