Número de Producto del Fabricante:
R6007END3TL1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6007END3TL1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
2500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12851038
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
R6007END3TL1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
390 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
R6007
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-R6007END3TL1CT
846-R6007END3TL1TR
846-R6007END3TL1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDY100PZ
MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
FDS6612A
MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
FQAF17N40
MOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PF
