Número de Producto del Fabricante:
R6007ENX
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6007ENX-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventario:
129 Pcs Nuevos Originales En Stock
13524399
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ENVIAR
R6007ENX Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
390 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
R6007
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
R6007ENXCT-ND
R6007ENXCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPAN65R650CEXKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
462
NÚMERO DE PIEZA
IPAN65R650CEXKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTP4N70X2M
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
24
NÚMERO DE PIEZA
IXTP4N70X2M-DG
PRECIO UNITARIO
1.35
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
TK8A65W,S5X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
50
NÚMERO DE PIEZA
TK8A65W,S5X-DG
PRECIO UNITARIO
0.66
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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