R6007JNXC7G
Número de Producto del Fabricante:

R6007JNXC7G

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

R6007JNXC7G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220FM

Inventario:

2019 Pcs Nuevos Originales En Stock
13527079
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

R6007JNXC7G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
780mOhm @ 3.5A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
7V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17.5 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
475 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
R6007

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
50

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
rohm-semi

R8008ANJFRGTL

MOSFET N-CH 800V 8A LPTS

rohm-semi

RSC002P03T316

MOSFET P-CH 30V 250MA SST3

rohm-semi

RD3T100CNTL1

MOSFET N-CH 200V 10A TO252

rohm-semi

RDD022N60TL

MOSFET N-CH 600V 2A CPT3