R6013VNXC7G
Número de Producto del Fabricante:

R6013VNXC7G

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

R6013VNXC7G-DG

Descripción:

600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220FM

Inventario:

1080 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001925
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

R6013VNXC7G Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V, 15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
300mOhm @ 3A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
6.5V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
900 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FM
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
R6013VN

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
50
Otros nombres
846-R6013VNXC7G

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
icemos-technology

ICE10N60FP

Superjunction MOSFET

icemos-technology

ICE60N130W

Superjunction MOSFET

vishay-siliconix

SIHK105N60E-T1-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

wolfspeed

E3M0040120K

SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-