R6014YND3TL1
Número de Producto del Fabricante:

R6014YND3TL1

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

R6014YND3TL1-DG

Descripción:

NCH 600V 14A, TO-252, POWER MOSF
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 14A (Tc) 132W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventario:

2476 Pcs Nuevos Originales En Stock
13001131
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R6014YND3TL1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V, 12V
rds activados (máx.) @ id, vgs
260mOhm @ 5A, 12V
vgs(th) (máx.) @ id
6V @ 1.4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
890 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
132W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
R6014

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
R6014YND3

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-R6014YND3TL1TR
846-R6014YND3TL1DKR
846-R6014YND3TL1CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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