Número de Producto del Fabricante:
R6070JNZ4C13
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6070JNZ4C13-DG
Descripción:
600V 70A TO-247, PRESTOMOS WITH
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 70A (Tc) 770W (Tc) Through Hole TO-247G
Inventario:
597 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965740
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
R6070JNZ4C13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
15V
rds activados (máx.) @ id, vgs
58mOhm @ 35A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id
7V @ 3mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
165 nC @ 15 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6000 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
770W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247G
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
R6070
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
846-R6070JNZ4C13
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
R6507END3TL1
650V 7A TO-252, LOW-NOISE POWER
FSS2100-G
FSS2100-G
SIJH440E-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
