Número de Producto del Fabricante:
R6504END3TL1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6504END3TL1-DG
Descripción:
650V 4A TO-252, LOW-NOISE POWER
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
1500 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965651
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ENVIAR
R6504END3TL1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.05Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 130µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
220 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
58W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
R6504
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-R6504END3TL1CT
846-R6504END3TL1DKR
846-R6504END3TL1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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