Número de Producto del Fabricante:
R6509ENJTL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R6509ENJTL-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 9A LPTS
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount LPTS
Inventario:
88 Pcs Nuevos Originales En Stock
12851419
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
R6509ENJTL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
585mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 230µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
430 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
LPTS
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
R6509
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-R6509ENJTLDKR
846-R6509ENJTLTR
846-R6509ENJTLCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTA8N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
90
NÚMERO DE PIEZA
IXTA8N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
1.41
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
R6507KNJTL
MOSFET N-CH 650V 7A LPTS
R6011KND3TL1
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
FDMS3006SDC
MOSFET N-CH 30V 34A DUAL COOL56
