Número de Producto del Fabricante:
R8002ANJGTL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R8002ANJGTL-DG
Descripción:
NCH 800V 2A POWER MOSFET : R8002
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount TO-263S
Inventario:
925 Pcs Nuevos Originales En Stock
12976159
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ENVIAR
R8002ANJGTL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
62W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263S
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
R8002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-R8002ANJGTLDKR
846-R8002ANJGTLTR
846-R8002ANJGTLCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
R8002ANJFRGTL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
930
NÚMERO DE PIEZA
R8002ANJFRGTL-DG
PRECIO UNITARIO
1.05
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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