Número de Producto del Fabricante:
R8006KND3TL1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R8006KND3TL1-DG
Descripción:
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 6A (Ta) 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
1440 Pcs Nuevos Originales En Stock
12975338
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
R8006KND3TL1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
650 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
R8006
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-R8006KND3TL1DKR
846-R8006KND3TL1TR
846-R8006KND3TL1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
RS3E130ATTB1
PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
MSJB17N80-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
IV1Q12050T4
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
