Número de Producto del Fabricante:
R8008ANJGTL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
R8008ANJGTL-DG
Descripción:
NCH 800V 8A POWER MOSFET : R8008
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount TO-263S
Inventario:
921 Pcs Nuevos Originales En Stock
12977947
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
R8008ANJGTL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.03Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263S
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
R8008
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-R8008ANJGTLDKR
846-R8008ANJGTLTR
846-R8008ANJGTLCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TQM070NB04CR RLG
MOSFET N-CH 40V 15A/75A 8PDFNU
IPT60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
G3R160MT12J
SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
