Número de Producto del Fabricante:
RF4L055GNTCR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RF4L055GNTCR-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 5.5A HUML2020L8
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 5.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Inventario:
15176 Pcs Nuevos Originales En Stock
13525058
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ENVIAR
RF4L055GNTCR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
43mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.7V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
HUML2020L8
Paquete / Caja
8-PowerUDFN
Número de producto base
RF4L055
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RF4L055GNTCRCT
RF4L055GNTCRDKR
RF4L055GNTCRTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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