Número de Producto del Fabricante:
RHU002N06FRAT106
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RHU002N06FRAT106-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Inventario:
13608 Pcs Nuevos Originales En Stock
12851829
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ENVIAR
RHU002N06FRAT106 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 200mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
UMT3
Paquete / Caja
SC-70, SOT-323
Número de producto base
RHU002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RHU002N06FRAT106-DG
846-RHU002N06FRAT106DKR
846-RHU002N06FRAT106TR
846-RHU002N06FRAT106CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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