Número de Producto del Fabricante:
RJ1L12BGNTLL
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RJ1L12BGNTLL-DG
Descripción:
NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Inventario:
2000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12975453
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ENVIAR
RJ1L12BGNTLL Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 500µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9000 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
192W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263AB
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
RJ1L12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-RJ1L12BGNTLLCT
846-RJ1L12BGNTLLTR
846-RJ1L12BGNTLLDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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