Número de Producto del Fabricante:
RP1A090ZPTR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RP1A090ZPTR-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Inventario:
13525826
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ENVIAR
RP1A090ZPTR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
59 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7400 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
MPT6
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Número de producto base
RP1A090
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
RP1A090ZPDKR
RP1A090ZPCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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