Número de Producto del Fabricante:
RQ3E100ATTB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RQ3E100ATTB-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 10A (Ta), 31A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventario:
8342 Pcs Nuevos Originales En Stock
13526327
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ENVIAR
RQ3E100ATTB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta), 31A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
11.4mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
RQ3E100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RQ3E100ATTBDKR
RQ3E100ATTBCT
RQ3E100ATTBTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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