Número de Producto del Fabricante:
RQ3L090GNTB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RQ3L090GNTB-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 9A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventario:
17700 Pcs Nuevos Originales En Stock
13525967
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ENVIAR
RQ3L090GNTB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.9mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.7V @ 300µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1260 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Número de producto base
RQ3L090
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RQ3L090GNTBDKR
RQ3L090GNTBCT
RQ3L090GNTBTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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