Número de Producto del Fabricante:
RS1E260ATTB1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RS1E260ATTB1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
15096 Pcs Nuevos Originales En Stock
13525772
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
RS1E260ATTB1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
26A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7850 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
RS1E
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
RS1E260ATTB1TR
RS1E260ATTB1DKR
RS1E260ATTB1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
RZR020P01TL
MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
RQ3G150GNTB
MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
