Número de Producto del Fabricante:
RS1E350BNTB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RS1E350BNTB-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
810 Pcs Nuevos Originales En Stock
13526606
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ENVIAR
RS1E350BNTB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
35A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7900 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
RS1E
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
RS1E350BNTBTR
RS1E350BNTBCT
RS1E350BNTBDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RS1E350BNTB1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2425
NÚMERO DE PIEZA
RS1E350BNTB1-DG
PRECIO UNITARIO
1.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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