RS1G201ATTB1
Número de Producto del Fabricante:

RS1G201ATTB1

Product Overview

Fabricante:

Rohm Semiconductor

Número de pieza:

RS1G201ATTB1-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Descripción Detallada:
P-Channel 40 V 20A (Ta), 78A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventario:

7266 Pcs Nuevos Originales En Stock
12985737
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

RS1G201ATTB1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Ta), 78A (Tc)
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6890 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
RS1G

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
846-RS1G201ATTB1TR
846-RS1G201ATTB1CT
846-RS1G201ATTB1DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
diodes

DMT35M4LFVW-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

vishay-siliconix

SIHA15N60E-GE3

N-CHANNEL 600V

diodes

DMPH4013SPS-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

nexperia

BUK9M31-60ELX

SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L