Número de Producto del Fabricante:
RUC002N05HZGT116
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RUC002N05HZGT116-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Descripción Detallada:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3
Inventario:
43989 Pcs Nuevos Originales En Stock
13526621
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ENVIAR
RUC002N05HZGT116 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
50 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
25 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
350mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SST3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
RUC002
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RUC002N05HZGT116-ND
RUC002N05HZGT116TRND
RUC002N05HZGT116TR
RUC002N05HZGT116CT
RUC002N05HZGT116DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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