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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
RUC002N05T116
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RUC002N05T116-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Descripción Detallada:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Inventario:
611414 Pcs Nuevos Originales En Stock
13524887
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ENVIAR
RUC002N05T116 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
50 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.2V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
25 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SST3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
RUC002
Hoja de Datos y Documentos
Guía de numeración de piezas
P/N Explanation for Transistors
Recursos de diseño
SST3M Inner Structure
Documentos de confiabilidad
SST3 MOS Reliability Test
Hojas de datos
RUC002N05T116
Packaging Info for Transistors
Product Catalog Transistors
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
RUC002N05T116-ND
RUC002N05T116CT
RUC002N05T116DKR
RUC002N05MGT116
RUC002N05T116TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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