Número de Producto del Fabricante:
RUS100N02TB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RUS100N02TB-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventario:
138 Pcs Nuevos Originales En Stock
13527495
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ENVIAR
RUS100N02TB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2250 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
RUS100
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
RUS100N02TBDKR
RUS100N02TBCT
RUS100N02TBTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
DMN2009LSS-13
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
1816
NÚMERO DE PIEZA
DMN2009LSS-13-DG
PRECIO UNITARIO
0.22
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
RS3E135BNGZETB
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2565
NÚMERO DE PIEZA
RS3E135BNGZETB-DG
PRECIO UNITARIO
0.36
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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