Número de Producto del Fabricante:
RV4E031RPHZGTCR1
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RV4E031RPHZGTCR1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 3.1A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN1616-6W
Inventario:
5852 Pcs Nuevos Originales En Stock
12948541
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ENVIAR
RV4E031RPHZGTCR1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.1A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
105mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.8 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
460 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount, Wettable Flank
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN1616-6W
Paquete / Caja
6-PowerWFDFN
Número de producto base
RV4E031
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
846-RV4E031RPHZGTCR1TR
846-RV4E031RPHZGTCR1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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