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Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
RW1A025APT2CR
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RW1A025APT2CR-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 2.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventario:
2465 Pcs Nuevos Originales En Stock
13080606
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ENVIAR
RW1A025APT2CR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
62mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
-8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 6 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
6-WEMT
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Número de producto base
RW1A025
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
RW1A025APT2CR
Información Adicional
Paquete Estándar
8,000
Otros nombres
RW1A025APT2CRDKR
846-RW1A025APT2CRTR
RW1A025APT2CRTR
RW1A025APT2CRCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
RV5A040APTCR1
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
RV5A040APTCR1-DG
PRECIO UNITARIO
0.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
SSM6J216FE,LF
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
800
NÚMERO DE PIEZA
SSM6J216FE,LF-DG
PRECIO UNITARIO
0.11
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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