Número de Producto del Fabricante:
RX3G07BBGC16
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RX3G07BBGC16-DG
Descripción:
NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
988 Pcs Nuevos Originales En Stock
12998209
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ENVIAR
RX3G07BBGC16 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3540 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
RX3G07
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
846-RX3G07BBGC16
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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