Número de Producto del Fabricante:
RX3P07CBHC16
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
RX3P07CBHC16-DG
Descripción:
NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER M
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
1000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12993916
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
RX3P07CBHC16 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
70A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.2mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4650 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
135W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
RX3P07
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
846-RX3P07CBHC16
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
2SK4161D
MOS FET 60V/100A/0.0038
RD3P03BBHTL1
NCH 100V 35A, TO-252, POWER MOSF
FKV660S
MOSFET 60V/60A/0.011
