Número de Producto del Fabricante:
SCT2120AFC
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
SCT2120AFC-DG
Descripción:
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
13526957
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ENVIAR
SCT2120AFC Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
156mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 3.3mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1200 pF @ 500 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
SCT2120
Hoja de Datos y Documentos
Documentos de confiabilidad
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SCT2120AFCU
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPP65R190E6XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
580
NÚMERO DE PIEZA
IPP65R190E6XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.52
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CANTIDAD DISPONIBLE
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PRECIO UNITARIO
2.95
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PRECIO UNITARIO
1.35
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PRECIO UNITARIO
2.30
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279
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PRECIO UNITARIO
2.20
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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