Número de Producto del Fabricante:
SCT2H12NYTB
Product Overview
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Número de pieza:
SCT2H12NYTB-DG
Descripción:
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Descripción Detallada:
N-Channel 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268
Inventario:
13526914
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ENVIAR
SCT2H12NYTB Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
ROHM Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1700 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
18V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 410µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
184 pF @ 800 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-268
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Número de producto base
SCT2H12
Hoja de Datos y Documentos
Documentos de confiabilidad
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
400
Otros nombres
SCT2H12NYTBTR
SCT2H12NYTBCT
SCT2H12NYTBDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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